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本研究室では、金属、半導体を中心とした様々な固体材料に対する照射効果を解明するために、(1)中性子・イオン・電子を用いた各種の照射設備の開発整備、(2) 陽電子消滅分光法・電子顕微鏡などを用いた照射材料の評価手法の研究、(3)照射誘起欠陥の反応過程を解明する計算機シミュレーションの研究を行っています。高エネルギー粒子の照射手法として、京都大学原子炉（KUR）に設置された精密制御照射装置（SSS）による高温中性子照射、電子線形加速器（LINAC）による低温・常温・高温電子線照射などの設備を開発・整備しています。さらにイオン加速器を利用した照射設備の開発も進めています。
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照射材料の表面物性の評価手法として、KURを用いた原子炉ベース低速陽電子ビームシステムの開発を進めています。本システムは、世界的に見ても最先端の装置であり、陽電子消滅寿命測定、ドップラー拡がり測定、あるいはこれら手法の同時計測などに使える高強度陽電子ビーム分析装置として開発を行っています。また、放射性同位体元素ベースの陽電子寿命測定装置など既存の測定手法の各種材料への応用研究を進めています。このような研究を発展させることで、新しいタイプの原子力システムや、核融合炉のための材料開発が進むと期待しています。また、発電用原子炉で用いられる各種材料の中性子照射損傷機構の解明とその寿命予測や、半導体素子の製造プロセスで導入される格子欠陥の低減に役立つ知見が得られると考えています。
