目次

1. イオン注入した化合物半導体表面のナノセル構造とその制御 / 矢吹和久、森田紗代、新田紀子、谷脇雅文(高知工科大工)
2. 原子炉中性子照射によるイオン注入Siの増速アニーリング / 木野村淳、茶谷原昭義、杢野由明、坪内信輝、堀野裕治(産総研)、義家敏正、林 禎彦、徐 虬(京大原子炉)、伊藤慶文、石神龍哉、安田啓介(若狭湾エネ研)
3. TEXTORトカマク中でエッジプラズマに曝された黒鉛の顕微ラマン分光法による解析 / 庭瀬敬右(兵庫教育大)、平井武志、J. Compan, J. Linke(ユーリヒ原子力研究所)
4. 中性子転換注入GaN の熱刺激電流法による欠陥評価 / 大井基史(法政大院)、串田一雅(大阪教育大)、岡田守民、徐 虬(京大原子炉)
5. 陽電子消滅法を用いた中性子照射時熱拡散率の評価手法の開発 / 秋吉優史、土田秀次、高木郁二(京大院工)、義家 敏正(京大原子炉)
6. 刃状転位近傍の原子空孔の挙動 / 佐藤紘一（京大原子炉）
7. 照射欠陥集合体の核生成モデリング / 森下和功（京大エネ研）
8. SiC中の格子間原子集合体のエネルギー評価 / 渡辺淑之、森下和功、香山晃、H.L. Heinisch, F. Gao（京大エネ研）
9. 金属薄膜の引張り変形における局所性・偏在性 / 小島 聡、胡 超、芝木大介（東工大留学生センター）
10. SINQ照射後試験の到達点と今後の展望 / 菊地賢司（原子力機構）
11. 点欠陥の視点から見た転位と欠陥集合体の相互作用 / 蔵元英一、大澤一人（九大応力研）
12. MD simulation of dislocation behaviors in W / Liu Wing-Chung（Hong Kong Polytechnic University）
13. BCC金属中のI ループの安定構造と運動に関する研究 / 大澤一人、蔵元英一（九大応力研）
14. MeV級高エネルギーヘリウム粒子によるフェライト鋼の照射損傷 / 吉田直亮、片伯部陽一、岩切宏友（九大応力研）
15. テープ状試料を利用した低照射量に生成する欠陥の陽電子寿命その場計測 / 足立旬、北垣卓（京大院工）、土田秀次（京大院工QSEC）、内藤正裕、秋吉優史、伊藤秋男（京大院工）
16. 高速イオン照射中に観測した空孔欠陥生成の照射温度依存性 / 土田秀次（京大院工QSEC）、岩井岳夫（東大院工）、足立旬、北垣卓、伊藤秋男（京大院工）
17. ステンレス鋼中のヘリウムバブルの動的挙動に及ぼす第三添加元素の効果 / 宮本光貴、小野興太郎（島根大総理工）
18. Au₃Cu の規則化・不規則化による電気抵抗変化 / 山川浩二、吉田安臣、寺岡正了（愛媛大工）、義家敏正、徐 虬（京大原子炉）、小松正雄（広島工大）

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